Досліджено природу та розміри розупорядкованих областей, створюваних у монокристалах n-Si опроміненням високоенергетичними (25 МеВ) протонами, за допомогою холлівських вимірювань електрофізичних параметрів. Використано зонноплавлені зразки, леговані фосфором з концентрацією <$E 6~cdot~10 sup 13> см<^>-3. Опромінення проведено за умови кімнатної температури в інтервалі доз <$E (1,8~-~8,1)~cdot~10 sup 12> см<^>-2. У ряді зразків, залежно від дози опромінення та температури ізохронного відпалу, спостережено різке збільшення ефективної холлівської рухливості <$E mu sub roman eff>, що пояснюється утворенням у зразках у випадку їх опромінення високоенергетичними протонами "металевих" включень, тобто областей із провідністю істотно вищою у порівнянні з провідністю напівпровідникової матриці. Радіус подібних областей оцінено як <$E R sub m~<<~ 80> нм. Висловлено припущення, що "металеві" включення є нанорозмірними атомними кластерами.

Індекс рубрикатора НБУВ: В379.227 + В379.274

Рубрики:

Радіаційні ефекти в напівпровідниках

Гальваномагнітні явища в напівпровідниках

Шифр НБУВ: Ж26988 Пошук видання у каталогах НБУВ 
Повний текст  Наукова періодика України 

---

  Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"