Досліджено електричні характеристики кристалів CdTe, легованих хлором, з питомим опором <$E (3~-~6)~cdot~10 sup 9> Ом <$E cdot> см. Практично власну електропровідність сильно легованого матеріалу пояснено утворенням самокомпенсованих комплексів, виходячи зі статистики носіїв заряду. Знайдено енергію іонізації та ступінь компенсації домішки, відповідальної за напівізолюючий стан CdTe. Інтерпретовано зворотні вольтамперні характеристики структури Ni/CdTe/Ni з діодом Шотткі як детекторів X/<$E gamma>-променів, що забезпечують рекордно низькі значення "темнових" струмів ~ 5 нА за напруги 1500 В, площі контакта Шотткі 0,1 см<^>2 (300 K). Надано результати, які засвідчують енергетичну роздільну здатність детектора у спектрі ізотопу <^>137Cs: 0,42 % за прикладеної напруги 1200 В (300 K). Доведено, що залежність детектуючої ефективності від концентрації нескомпенсованих домішок (дефектів) N, яка визначає ширину області просторового заряду в діоді, описується функцією з максимумом, який для ізотопу <^>137Cs припадає на <$E N~symbol Ы~2~cdot~10 sup 11> см<^>-3. Із зіставлення спектрів, одержаних за опромінення детектора з боку контакта Шотткі та омічного контакта, знайдено концентрацію нескомпенсованих домішок у досліджуваних кристалах (~ 10<^>12 см<^>-3), яка близька до оптимального значення N.

• Маслянчук Олена Леонідівна (фізико-математичні науки)
• Склярчук Василь Михайлович (фізико-математичні науки)
• Склярчук Валерій Михайлович (фізико-математичні науки)
• Мельничук Сергій Вікторович (технічні науки)
• Мельничук Сергій Володимирович (технічні науки)
• Мельничук Сергій Вікторович (фізико-математичні науки)
• Грушко Євгеній Валентинович (фізико-математичні науки)

  Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"