Представлена оптимизация аналого-цифрового флеш преобразователя с целью уменьшения тока утечки и вносимой задержки, используя дополнительные транзисторы ожидания с логикой управления током ASTCML (Augmented Sleep Transistors with Current Mode Logic) в 45 нм технологическом процессе. Как показали исследования, мощность утечки при использовании ASTCML уменьшается на 50 % при напряжении питания 1 В. Благодаря уменьшению тока утечки снижается вероятность термической утечки, что повышает надежность устройства, хотя рассматриваемый аналого-цифровой преобразователь спроектирован на базе PMOS и NMOS. Предлагаемый аналого-цифровой преобразователь пригоден для использования в высокоскоростных и беспроводных сетевых приложениях. Рассмотрены различные варианты использования аналого-цифрового флеш преобразователя.

  Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"