The influence of tin impurity on amorphous silicon crystallization was investigated using the methods of Raman scattering, Auger spectroscopy at ion etching, scanning electron microscopy and X-ray fluorescence microanalysis in thin films of Si:Sn alloy manufactured by thermal evaporation. Formation of Si crystals of the 2 to 4-nm size has been found in the amorphous matrix alloy formed at the temperature <$E 300~symbol Р roman C>. Total volume of nanocrystals correlates with the content of tin and can comprise as much as 80 % of the film. The effect of tin-induced crystallization of amorphous silicon occurred only if there are clusters of metallic tin in the amorphous matrix. The mechanism of tin-induced crystallization of silicon that has been proposed takes into account the processes in eutectic layer at the interface metal tin - amorphous silicon.

 Наукова періодика України 

---

Додаткова інформація про автора(ів) публікації:
(cписок формується автоматично, до списку можуть бути включені персоналії з подібними іменами або однофамільці)

• Шеплявий Петро Євгенович (технічні науки)
• Юхимчук Володимир Олександрович (фізико-математичні науки)
• Мельник Василь Володимирович (педагогічні науки)
• Мельник Василь Володимирович (медичні науки)

  Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"