We suggest the concept of crystallization of cubic boron nitride (cBN) in the fluid-containing systems. The suggested concept provides an explanation for all the experimentally found p, T-limits of the cBN formation region. The position of the low-temperature limit of this region in the p, T-diagram of boron nitride is defined either by the line of the incongruent melting of the compound of boron nitride with the solvent, or by the kinetics of the cBN nucleation and crystal growth. The position of the high-temperature limit of the cBN crystallization region in the p, T-diagram is always defined by the latter factor.

Індекс рубрикатора НБУВ: Л463.4

Рубрики:

Карбід бору. Нітрид бору

Шифр НБУВ: Ж22412/а Пошук видання у каталогах НБУВ 

---

  Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"