Electrophysical properties of composites of the polychlorotrifluoroethylene (PHTFE) - disperse silver iodide (AgI) and PHTFE - AgI - silicon dioxide (SiO2) systems within the superhigh frequency (SHF) range and at low frequencies are investigated depending on the concentration of a filler and temperature. It is shown that the silicon dioxide introduction into the PHTFE - AgI system shifts the percolation threshold at direct current and in the SHF range. At the filler concentration (AgI) <$E 0~symbol Г~C~symbol Г~42> vol. % of the PHTFE - AgI system under the silicon dioxide introduction, we observed an increase, but at <$E 46~%~symbol Г~C~symbol Г~65~%> - a decrease of the complex permittivity coefficient. Such a phenomenon may be due to a change of the interface under the interaction of the system components.

• Горбик Петро Петрович (1950–) (фізико-математичні науки)
• Мазуренко Руслана Валентинівна (фізико-математичні науки)
• Левандовський Вадим Венедиктович (філософські науки)
• Махно Станіслав Миколайович (фізико-математичні науки)
• Чуйко Олексій Олексійович (1930–2006) (хімічні науки)

  Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"