Ryabchenko S. M. Additional lines in quantum wells excitonic spectra connected with QW asymmetry caused by technology / S. M. Ryabchenko, F. V. Kirichenko, Yu. G. Semenov, V. G. Abramishvili, A. V. Komarov // Condensed Matter Physics. - 1999. - 2, № 3. - С. 543-552. - Бібліогр.: 6 назв. - англ.Проведено розрахунки відношення інтенсивностей основної і додаткової ліній, енергетичної відстані між ними для квантових ям (КЯ) з асиметричним потенціальним профілем. Обгрунтовано, що додаткова лінія в екситонному спектрі КЯ може бути пояснена переходами між утримуваними в КЯ станами валентних електронів і електронів провідності з різною парністю, які перестають бути забороненими у присутності асиметрії потенціального профілю, спричиненої технологією вирощування КЯ. Показано, що додаткова екситонна лінія типу e1-hh2 є більш інтенсивною в більшій частині актуальних випадків. Зокрема, показано, що додаткова екситонна лінія в структурах вирощених методом лазерної абляції, може бути пояснена як e1-hh2 перехід. Розрахунки показують суттєву чутливість не лише до параметра розширення інтерфейсу, але й до функції його профілю. Зроблено висновок, що метод лазерної абляції призводить до більшої асиметрії КЯ, ніж метод молекулярно-пучкової епітаксії. Індекс рубрикатора НБУВ: В379.13
Рубрики:
Шифр НБУВ: Ж41279 Пошук видання у каталогах НБУВ Додаткова інформація про автора(ів) публікації: (cписок формується автоматично, до списку можуть бути включені персоналії з подібними іменами або однофамільці) Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"
|