Обчислена електропровідність періодичних багатошарових структур з виродженим електронним газом. Показано, що для гладких тунельно прозорих бар'єрів опір структури співпадає з відповідним значенням для об'ємного матеріалу. У випадку, коли на границях розділу існує випадковий розсіюючий потенціал, провідність системи зменшується зі збільшенням відношення довжини вільного пробігу електронів до періоду структури.

  Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"