Melnychuk S. V. Energy spectrum of transition metal impurity in a semiconductor with an ideal surface / S. V. Melnychuk, I. M. Yurijchuk // Condensed Matter Physics. - 1999. - 2, № 1. - С. 133-142. - Бібліогр.: 15 назв. - англ.Теоретично досліджується енергетичний спектр домішки з незаповненою 3d-оболонкою, що заміщує катіон в напівпровіднику з структурою цинкової обманки у випадку наявності в кристалі ідеальної поверхні. Модельний гамільтоніан напівпровідника будувався в моделі напівемпіричного сильного зв'язку, а енергії глибоких 3d-рівнів визначалися методом функцій Гріна в рамках моделі Кікоєна-Флерова. Числові розрахунки виконано для домішки Cr в напівпровіднику CdTe з ідеальною поверхнею [100]. Показано, що у випадку розташування домішки поблизу поверхні відбувається суттєва перебудова її енергетичного спектра. Одноелектронні t2- і e- рівні, що обумовлені 3d-центрами в об'ємному напівпровіднику для системи, обмеженої ідеальною поверхнею, внаслідок пониження симетрії розщеплюються. Величина розщеплення різко зростає для домішки, розташованої безпосередньо на атомній площині, що утворює ідеальну поверхню. Внаслідок полярності поверхні [100] напівпровідника CdTe можливе існування двох типів поверхні, які по-різному впливають на енергетичний спектр 3d-домішок. Встановлено основні механізми формування одноелектронних глибоких рівнів в забороненій зоні напівпровідника для двох типів поверхні. Індекс рубрикатора НБУВ: В379.222
Рубрики:
Шифр НБУВ: Ж41279 Пошук видання у каталогах НБУВ
Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"
|