Досліджено температурну зміну діелектричної проникності кристала Sn₂P₂S₆ для різних зміщуючих електричних полів і гідростатичних тисків з метою встановлення виду p, T, E-діаграми цього кристала. На базі досліджень аномалій діелектричної проникності побудовано E, T-діаграми за умов різних величин гідростатичного тиску та p, T, E-діаграму кристала Sn₂P₂S₆. Проведено оцінку величин коефіцієнтів у розкладі термодинамічного потенціалу та визначено координати критичних точок на E, T-діаграмах.

  Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"