З перших принципів у моделі ефективних мас і поляризаційного континууму встановлено гамільтоніан системи електронів взаємодіючих з інтерфейсними фононами у трибар'єрній резонансно-тунельній структурі. За допомогою методу функцій Гріна розраховано температурні зміщення та загасання найнижчих (робочих) електронних станів залежно від геометричної конфігурації наносистеми GaAs/AlxGa1-xAs як активної зони квантового каскадного детектора. Встановлено, що незалежно від температури системи енергія квантового переходу в процесах поглинання електромагнітного поля є нелінійною слабозмінною функцією від положення внутрішнього відносно зовнішніх бар'єра наносистеми.

  Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"