![](/irbis_nbuv/images/db_navy.gif) Книжкові видання та компакт-диски ![](/irbis_nbuv/images/db_navy.gif) Журнали та продовжувані видання ![](/irbis_nbuv/images/db_navy.gif) Автореферати дисертацій ![](/irbis_nbuv/images/db_navy.gif) Реферативна база даних ![](/irbis_nbuv/images/db_navy.gif) Наукова періодика України ![](/irbis_nbuv/images/db_navy.gif) Тематичний навігатор ![](/irbis_nbuv/images/db_navy.gif) Авторитетний файл імен осіб
|
Пошуковий запит: (<.>ID=REF-0000517790<.>) |
Загальна кількість знайдених документів : 1
|
Avakyants G. M. Collision ionization in Gunn diodes: single-passage domain mode / G. M. Avakyants, S. P. Movchan, A. A. Stepanov // Functional Materials. - 1999. - 6, № 4. - С. 740-742. - Бібліогр.: 5 назв. - англ.Запропоновано методику опису помноження в рухомому домені сильного поля і один з можливих механізмів формування дільниць негативного опору на вольтамперній характеристиці діодів Ганна, специфічний для однопрохідного режиму домену. Індекс рубрикатора НБУВ: З852.2
Рубрики:
Шифр НБУВ: Ж41115 Пошук видання у каталогах НБУВ
![](/irbis_nbuv/images/info.png) Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"
|
|
|