Одержано нові дані про електронні стани кристала beta-аланіну. Оцінено ширину забороненої зони кристала 6 еВ. Зроблено висновок, що електрони зони провідності обумовлені ймовірніше дефектами кристала, а не температурним фактором. Показано, що опромінення кристала міліметровими хвилями протягом 30 годин призводить до появи в забороненій зоні електронних станів біля дна зони провідності та змінює нахил краю зони. Таке опромінення призводить також до розширення електронних станів 1s атомів C, N, O. Зроблено припущення, що вказані зміни обумовлені домішковими молекулами повітря, адсорбованими на поверхні кристала.

  Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"