Наведено результати дослідження домішкових і зонних станів носіїв у кристалах ZnSiP₂, отриманих методом кристалізації з розчину в розплаві. Методами лазерно-модуляційної спектроскопії виявлено домішкові центри з дуже великим перерізом захоплення дірок з валентної зони, досліджено їх вплив на особливості квантових переходів у ZnSiP₂.

  Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"