Andreyeva N. V. Analysis of the mathematical model of semiconductor material thermal breakdown / N. V. Andreyeva, Yu. P. Virchenko // Functional Materials. - 2003. - 10, № 4. - С. 591-598. - Бібліогр.: 8 назв. - англ.Запропоновано метод наближеного аналізу математичної моделі теплового пробою напівпровідникової плівки, який засновано на урахуванні того, що розв'язки рівняння теплопровідності з джерелом повинні описувати розвиток нестійкості, яка призводить до так званого загострення режиму. На основі цього методу одержано формули для діаметрів проплавлених каналів і часу пробою. Визначено роль рівноважної провідності в разі виникнення теплової нестійкості. Індекс рубрикатора НБУВ: В379.226 + В379.25в641.0
Рубрики:
Шифр НБУВ: Ж41115 Пошук видання у каталогах НБУВ
![](/irbis_nbuv/images/info.png) Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"
|