Vakulenko O. V. IR luminescence of ZnSe-based scintillators / O. V. Vakulenko, V. M. Kravchenko // Functional Materials. - 2004. - 11, № 1. - С. 90-95. - Бібліогр.: 12 назв. - англ.Виявлено природи смуг ІЧ фотолюмінесценції (ФЛ) 1,3 та 1,6 еВ (970 та 790 нм) кристалів ZnSe і ZnSe(Te). На основі експериментального дослідження ФЛ додатково очищених кристалів, а також розрахунків із застосуванням статистики носіїв заряду у напівпровідниках з багатозарядними центрами встановлено, що ІЧ ФЛ зумовлена багатозарядними власними точковими дефектами. ІЧ-смуга 1,3 еВ зумовлена внутрицентровими переходами між збудженим та основним станами однократно йонізованих вакансій селену, які є двозарядними донорами, а ІЧ-смуга 1,6 еВ - випромінювальними переходами електронів з однократно йонізованих вакансій селену на акцепторний рівень комплекса [VZnTeSe]. Індекс рубрикатора НБУВ: В374.9 + В379.24
Рубрики:
Шифр НБУВ: Ж41115 Пошук видання у каталогах НБУВ
![](/irbis_nbuv/images/info.png) Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"
|