Одержано залежності електропровідності, коефіцієнта Холла <$E R sub H> і рухливості носіїв заряду <$E mu sub H> від температури (77 - 300 K) полікристалів <$E roman CuInSe sub 2> з різним вмістом Se (49,5 - 51.5 ат. %) за фіксованого співвідношення [Cu]/[In] = 1,0. Установлено існування акцепторних рівнів <$E E sub A1~=~(19~symbol С~2)> меВ та <$E E sub A2~=~ (72~symbol С~3)> меВ, пов'язаних із вакансіями <$E {roman Cu}(E sub A1)>, а також In і/або міжвузельними атомами <$E {roman Se}(E sub A2)>, та донорного рівня <$E E sub D~=~(18~symbol С~2)> меВ, приписаного міжвузельним атомам Cu. У зразку із вмістом 51,5 ат. % Se на температурних залежностях <$E R sub H> і <$E mu sub H> виявлено осциляції, пов'язані з релаксаційними процесами. Проведено оцінку величини деформаційного потенціалу валентної зони <$E roman CuInSe sub 2>.

• Галкін Сергій Миколайович (технічні науки)

  Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"