В інтервалі частот <$E 10 sup -3~-~10 sup 5> Гц і температур 310 - 370 K досліджено частотні залежності компонент комплексної діелектричної проникності сегнетоелектричного рідкого кристала (СРК) як у чистому виді, так і з наявністю сильно та слабко дисоційованих домішок. Знайдено дві області дисперсії. Показано, що більш високочастотна область дисперсії I спостерігається тільки в смектичних фазах. Час її релаксації складає в середньому 0,7 мс і слабко залежить від наявності домішок. Область дисперсії II спостерігається у всіх фазах планарно орієнтованого СРК. На її параметри суттєво впливає наявність домішок. Показано, що дана область дисперсії зумовлена локальною зміною орієнтації молекул у приелектродній області, товщина якої дорівнює дебаївській довжині екранування. Припущено, що причиною "розмитого" часу релаксації в смектичних фазах може бути складний процес зміни орієнтації молекул, який включає як зміну смектичного кута нахилу, так і часткове обертання навколо осі гелікоїда.

• Найко Дмитро Антонович (1952–) (фізико-математичні науки)

  Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"