Gamolya O. P. Effect of self-absorption on the band-to-band photoluminescence spectrum / O. P. Gamolya, O. V. Vakulenko, O. I. Dacenko // Functional Materials. - 2005. - 12, № 1. - С. 114-116. - Бібліогр.: 4 назв. - англ.Вивчено вплив самопоглинання та стану поверхні на спектр власної фотолюмінесценції на прикладі прямозонного напівпровідника GaAs. Одержано формулу впливу самопоглинання на спектр фотолюмінесценції напівпровідника. Враховано поглинання збуджувального світла та люмінесценції у речовині, а також дифузію носіїв та їх безвипромінювальні втрати на поверхні зразка. На підставі розрахунків показано, що внаслідок самопоглинання спектр власної фотолюмінесценції зсувається у довгохвильову область. Стан поверхні зразка практично не впливає на розміщення максимуму спектральної кривої, змінюється лише загальна інтенсивність фотолюмінесценції. Індекс рубрикатора НБУВ: В379.2
Рубрики:
Шифр НБУВ: Ж41115 Пошук видання у каталогах НБУВ
![](/irbis_nbuv/images/info.png) Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"
|