Вивчено вплив самопоглинання та стану поверхні на спектр власної фотолюмінесценції на прикладі прямозонного напівпровідника GaAs. Одержано формулу впливу самопоглинання на спектр фотолюмінесценції напівпровідника. Враховано поглинання збуджувального світла та люмінесценції у речовині, а також дифузію носіїв та їх безвипромінювальні втрати на поверхні зразка. На підставі розрахунків показано, що внаслідок самопоглинання спектр власної фотолюмінесценції зсувається у довгохвильову область. Стан поверхні зразка практично не впливає на розміщення максимуму спектральної кривої, змінюється лише загальна інтенсивність фотолюмінесценції.

  Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"