Обговорено особливості вирощування оксидних кристалів за допомогою методу Чохральського, вплив газового середовища вирощування на глибину та напрям структурних перетворень, стехіометричної розупорядкованості оксидних розплавів, природу створення у кристалах різних дефектів. Показано, що істотний вплив на глибину та напрями цих процесів, у тому числі термохімічну стійкість розплаву, надає окиснювально-відновлювальний потенціал газового середовища вирощування, що зумовлює термохімічну активність кисню в оксидних розплавах. Результуюча дія чинників, що впливають на внутрішню структуру, визначає координацію кластерів кристалоутворювальних компонентів і здатність розплаву до монофазної кристалізації.

• Тупіцина Ірина Аркадіївна (технічні науки)

  Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"