Визначено ефективні коефіцієнти розподілу Ga згідно з моделлю Острогорського - Мюллера з урахуванням експериментальних даних для складів кристалів GaxIn1-xSb із вмістом Ga до 0,2. Розроблено метод вирощування за Чохральським, вирощено монокристали GaxIn1-xSb діаметром до 18 мм. Вивчено вплив відпалу на утворення тріщин після розрізання монокристалів GaxIn1-xSb. Показано, що відпал кристалів за температури 170 <$E symbol Р>C протягом 10 - 12 годин зменшує кількість тріщин довжиною більш ніж 0,2 мм.

  Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"