Досліджено вплив хіміко-механічних методів обробки поверхні кристалів (ПК) CsI:Tl і NaI:Tl на їх сцинтиляційні характеристики під час реєстрації малопроникаючого іонізуючого випромінювання. Показано, що застосування на етапі полірування ультрадисперсного порошку діоксиду кремнію, одержаного за допомогою золь-гель методу, та кремнійорганічних рідин забезпечує одержання приповерхневого шару кристалів CsI:Tl і NaI:Tl з мінімальною неоднорідністю світлового виходу. Після шліфування ПК стабільність сцинтиляційних характеристик у часі можна досягти за рахунок обробки поверхонь тетраетоксисиланом та олігогідридсилоксановою рідиною. Нанесення тонкоплівкового кремнійорганічного покриття на поверхню кристала CsI:Tl, яка обернена до радіоактивного джерела, покращило амплітудне розділення на 3 - 5 % за абсолютною величиною під час реєстрації рентгенівського випромінювання з E = 5,9 кеВ.

Індекс рубрикатора НБУВ: В371.531

Шифр НБУВ: Ж41115 Пошук видання у каталогах НБУВ 

---

Додаткова інформація про автора(ів) публікації:
(cписок формується автоматично, до списку можуть бути включені персоналії з подібними іменами або однофамільці)

• Бояринцев Андрій Юрійович (технічні науки)
• Тарасов Віктор Олексійович (фізико-математичні науки)

  Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"