Досліджено вплив стану вхідної для випромінювання поверхні сцинтиляторів CsI:Tl, CsI:Na, стильбену і n-терфенілу на непропорційність світлового виходу (СВ) та енергії альфа-часток (АЧ). Показано, що утворювання приповерхневого порушеного шару призводить до збільшення мікронеоднорідностей питомого СВ вздовж поверхні кристалів і за глибиною. Великі зміни питомого СВ, залежно від енергії АЧ, є характерними для зразків органічних і лужно-галоїдних сцинтиляторів, які мають істотні структурні порушення вхідної для випромінювання поверхні. Між величиною непропорційності й амплітудним розділенням спостережено залежність: чим меншою є непропорційність, тим меншим є значення розділення у діапазоні енергій АЧ, що використовуються.

Індекс рубрикатора НБУВ: В381.53

Рубрики:

Сцинтиляційні лічильники

Шифр НБУВ: Ж41115 Пошук видання у каталогах НБУВ 

---

Додаткова інформація про автора(ів) публікації:
(cписок формується автоматично, до списку можуть бути включені персоналії з подібними іменами або однофамільці)

• Тарасов Віктор Олексійович (фізико-математичні науки)

  Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"