Обговорено особливості вирощування оксидних кристалів із використанням методу Чохральського. Експериментально виявлено кореляцію між концентрацією кисню у газовому середовищі та коефіцієнтом входження іонів <$E roman Ce sup 3+> у процесі вирощування кристалів GSO. Обговорено можливі механізми впливу концентрації кисню на коефіцієнт входження іонів церію у кристал. Дослідження показали важливу роль складу ростового середовища у процесі одержання оксидних кристалів із відтворюваними функціональними характеристиками.

  Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"