Вивчено кінетику фазоутворення у багатошарових покриттях Sc/Si і тришарових структурах Si/Sc/Si за допомогою методів електронної мікроскопії поперечних зрізів і рентгенівської малокутової рефлектометрії. Зростання товщини силіциду ScSi за всіх температур відпалу лімітується дифузією. Встановлено дві стадії росту силіциду, які відповідають непараболічному та параболічному законам. Первинна непараболічна стадія росту характеризується більшим коефіцієнтом дифузії, який зменшується у 20 разів у процесі ізотермічного відпалу як наслідок структурної релаксації структури аморфного силіциду. Стадія параболічного росту характеризується енергією активації E = 1 еВ і передекспоненціальним множником <$E D sub 0~=~4~cdot~10 sup -12~roman {м sup 2 с sup -1}>.

Індекс рубрикатора НБУВ: Ж363.04 + В379.2

Рубрики:

Фізика напівпровідників

Шифр НБУВ: Ж41115 Пошук видання у каталогах НБУВ 

---

  Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"