The processes of the charge carrier scattering on the short-range potential caused by interaction with polar and nonpolar optical phonons, piezoelectric and acoustic phonons, static strain, neutral and ionized impurities in <$E {roman Zn} sub x {roman Cd} sub 1-x roman Te> (<$E 0~symbol Г~x~symbol Г~1>) and <$E {roman Zn} sub x {roman Hg} sub 1-x roman Te> (x = 0,15) are considered. The temperature dependence of the charge carrier mobility in temperature range 50 - 360 K are calculated.

Індекс рубрикатора НБУВ: К204.2 + В379.223

Рубрики:

Природа сплавів

Тверді розчини напівпровідників

Шифр НБУВ: Ж41115 Пошук видання у каталогах НБУВ 

---

  Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"