На основі фоточутливих плівок твердого розчину <$E {roman Zn} sub x {roman Cd} sub 1-x roman Te> p-типу провідності з питомим опором <$E rho~symbol Ы~10 sup 3~OMEGA~cdot~roman cm> створено <$E roman In~-~n roman CdS~-~p {roman Zn} sub x {roman Cd} sub 1-x roman {Te~-~Mo}>-структуру, яка має властивості інжекторного фотодіода. У випадку прямого напряму струму ("+" потенціал прикладений до молібденового контакту) і за рівня освітленості E = 0,5 lux така структура має інтегральну чутливість Sint = 73 A/lm, (~ <$E 7,7~cdot~10 sup 3> A/W) за T = 300 K.

Індекс рубрикатора НБУВ: В379.223 + В379.226 + З852-03

Рубрики:

Тверді розчини напівпровідників

Тонкі шари напівпровідників

Напівпровідникові прилади

Шифр НБУВ: Ж41115 Пошук видання у каталогах НБУВ 

---

  Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"