Досліджено ріст надтонких плівок вісмуту до 15 атомарних шарів на атомарно чистій підкладці Ge(111)-c(2 <$E times> 8) при 300 К за допомогою методу надвисоковакуумної скануючої тунельної мікроскопії до та після відпалу при 450 К. Спостерігався такий діапазон морфологій вісмутового адсорбату: окремі атоми, двовимірні наноострівці, тривимірні нанокристали, мікрокристали, а також атомарно гладка плівка. Тривимірна (3D) наноструктуризація досягається в процесі росту плівки за сценарієм Вольмера - Вебера до 10 атомарних шарів. За подальшого росту від 10 до 15 атомарних шарів відбувається згладжування поверхні плівки. Після відпалу субмоношарових плівок спостерігалися окремі атоми Bi, вбудовані у зовнішній атомарний шар підкладки Ge(111), а також двовимірні острівці першого атомарного шару плівки (2D наноструктурування). Плівки більшої товщини зазнавали розрихлення внаслідок відпалу і складались із низки нано- та мікрокристалів вісмуту.

  Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"