The technique of thermal vacuum deposition of Ge onto GaAs substrates has been used for obtaining nanocrystalline Ge films. Nanocrystalline character of the films is confirmed by atomic force microscopy of their surface and by the data of Raman light scattering. The most probable size of the nanocrystallites forming the films decreases monoton ically with decreasing their thickness. Electro conductivity of such the films proves to be high enough (1 - 10 <$Eroman {Ohm~cdot~cm}> at room temperature) and has a character of variable range hopping conduction of Mott's type. The hops, presumably, take place through the localized states connected with the grain boundaries.

 Наукова періодика України 

---

Додаткова інформація про автора(ів) публікації:
(cписок формується автоматично, до списку можуть бути включені персоналії з подібними іменами або однофамільці)

• Борблик Віталій Леонідович (фізико-математичні науки)
• Ніколенко Андрій Сергійович (фізико-математичні науки)
• Стрельчук Віктор Васильович (фізико-математичні науки)
• Шварц Юрій Михайлович (фізико-математичні науки)
• Шварц Марина Михайлівна (фізико-математичні науки)

  Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"