![](/irbis_nbuv/images/db_navy.gif) Книжкові видання та компакт-диски ![](/irbis_nbuv/images/db_navy.gif) Журнали та продовжувані видання ![](/irbis_nbuv/images/db_navy.gif) Автореферати дисертацій ![](/irbis_nbuv/images/db_navy.gif) Реферативна база даних ![](/irbis_nbuv/images/db_navy.gif) Наукова періодика України ![](/irbis_nbuv/images/db_navy.gif) Тематичний навігатор ![](/irbis_nbuv/images/db_navy.gif) Авторитетний файл імен осіб
|
Пошуковий запит: (<.>ID=REF-0000521710<.>) |
Загальна кількість знайдених документів : 1
|
Steblova O. V. Transformation of SiOx films into nanocomposite SiO2(Si) films under thermal and laser annealing / O. V. Steblova, A. A. Evtukh, O. L. Bratus', L. L. Fedorenko, M. V. Voitovych, O. S. Lytvyn, O. O. Gavrylyuk, O. Yu. Semchuk // Semiconductor Physics, Quantum Electronics and Optoelectronics. - 2014. - 17, № 3. - С. 295-300. - Бібліогр.: 24 назв. - англ.Oxide-assisted growth of Si nanocrystals includes deposition of a silicon-enriched SiOx film at the first stage and annealing at the second one. The ion-plasma sputtering method has been used for deposition of the SiOx film. The influence of thermal and laser annealing on SiOx film properties has been investigated. Formation of silicon nanoislands on oxide film surface has been observed by AFM both after thermal and laser annealing. The height and surface density of the nanoislands depends both on the silicon content in the initial SiOx film and temperature of thermal annealing. The higher annealing temperature causes formation of large nanoislands, but their surface density decreases. Comparison of nanoislands created at thermal and laser annealing shows that in case of laser annealing the nanoislands are higher and their surface density is lower. The intensity of laser irradiation influences on nanoisland parameters significantly. The growth of electrical conductivity with thermal annealing temperature has been observed. The influence of gas atmosphere during annealing is also significant in case of higher temperatures. In case of laser annealing at the beginning at low laser irradiation intensities, the SiOx film conductivity increases, but the following growth of intensity causes the decrease in electrical conductivity. Індекс рубрикатора НБУВ: В371.236 + В379.226 + В379.227
Рубрики:
Шифр НБУВ: Ж16425 Пошук видання у каталогах НБУВ Додаткова інформація про автора(ів) публікації: (cписок формується автоматично, до списку можуть бути включені персоналії з подібними іменами або однофамільці) ![](/irbis_nbuv/images/info.png) Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"
|
|
|