Здійснено квантовохімічні розрахунки властивостей кластерів, які представляють структуру адсорбційних комплексів молекул O₂ або Н₂O на гранях Si(111) та Si(100), простежено послідовність основних елементарних стадій формування Si-О зв'язків у поверхневому шарі силіцію. Виходячи з структур таких адсорбційних комплексів, енергій їх утворення та величин активаційних бар'єрів, обгрунтовано емпірично встановлений висновок про самочинність формування оксидної фази, її острівковий характер, яке відбувається за рахунок розширення початкового центру окиснення. Вперше, грунтуючись на просторовій структурі комплексів, які утворюються на кластерах, що моделюють грані Si(111) та Si(100), після розпаду молекулярно адсорбованої молекули кисню, встановлено відмінність елементарних актів вбудування кисню в поверхневий шар силіцію. В кластері, який відтворює грань Si(111), атом кисню з top-позиції впроваджується в зв'язок Si-Si, а в кластері, що представляє грань Si(100), виникає силоксановий місток між атомами силіцію, не зв'язаними між собою в молекулярному комплексі Si(100)•O₂. Доведено, що розраховані коливальні стани адсорбційних комплексів за участю адсорбованого кисню відрізняються від коливальних станів атома кисню, який захоплюється матрицею кристалічного силіцію.

• Теребінська Марія Іванівна (фізико-математичні науки)

  Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"