Встановлено кореляцію між умовами ультразвукового впливу, фазового складу, величиною внутрішніх напружень і динамікою дефектної системи кристалів МРТ і КМРТ. Показано, що механізм довготривалої ультразвукової обробки полягає у витісненні ртуті з об'єму напівпровідника, що веде до збільшення вмісту Mn та Cd. Підтверджено підвищену радіаційну стабільність кристалів MnHgTe та CdMnHgTe порівняно з CdHgTe. Встановлено залежність ефективності ультразвукового впливу на електрофізичні характеристики кристалів p-Ge від величини магнітного поля та температури. Запропоновано механізм акустостимульованої зміни електрофізичних параметрів p-Ge, що полягає в акустоіндукованій інверсії заселеності рівнів легких і важких дірок в результаті зміни ступеня розсіювання на йонізованих домішках. Запропоновано модифіковану схему перебудови радіаційних дефектів під дією ультразвуку в об'ємних γ-опромінених кристалах n-Si. Показано, що відповідальними за акустостимульовані зміни електрофізичних параметрів є комплекси радіаційних дефектів, встановлено природу даних акустоактивних центрів. Виявлено гістерезис температурних залежностей коефіцієнта Холла в γ-опромінених кристалах n-Si, досліджено ефект його розширення під дією ультразвукового навантаження та звуження у випадку ультразвукової обробки. Показано, що гістерезис обумовлений довготривалим характером акустостимульованої перебудови акустоактивних центрів у результаті їх збурення фоновими домішковими атомами, реалізується дифузійний механізм утворення "тимчасових" комплексів дефектів. Вперше в реальному часі (in-situ) за допомогою імпульсного ультразвукового навантаження вивчено кінетику акустостимульованої релаксації електропровідності в зразках γ-опроміненого n-Si-Fz, яка пов'язана з метастабільним характером просторової переорієнтації та зміни зарядового стану анізотропних радіаційних дефектів. Розглянуто координатно-конфігураційну модель процесу, на основі якої з використанням експериментальних результатів одержано характерні енергетичні параметри акустоактивних центрів.

• Тимочко Микола Дмитрович (фізико-математичні науки)

  Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"