Розроблено технологію вирощування композиційно-легованих монокристалів Y₃Al₅O₁₂:Nd:Cr, Ce та виготовлення активних лазерних елементів для широкого застосування в лазерній техніці. Нову технологію вирощування кристалів Y₃Al₅O₁₂:Nd:Cr, Ce впроваджено в промисловому виробництві. Розроблено технологію вирощування нових легованих кристалів вольфраматів і молібдатов свинцю для ВКР - лазерів, які працюють в діапазоні 1,2 - 1,5 мкм. Запропоновано нові принципи та підходи в легуванні різними елементами кристалів широкого класу оксидних кристалів дозволяють: для складнолегованих лазерних кристалів - підвищення потужності випромінювання, стійкості до ресурсних випробувань, розширення частотного діапазону, для сцинтиляційних кристалів - підвищення світловиходу кристалів, для антиферомагнітних гранатів - розширення діапазону існування фотоіндукованих ефектів до кімнатних температур. Визначено технологію вирощування крупних монокристалів вольфрамату кадмію CdWO₄ і вольфрамату свинцю PbWO₄. На їх базі створені сцинтиляційні детектори для портативних гамма-спектрометрів, радіаційних моніторів, електромагнітних калориметрів. Створено систему детектування гамма-випромінювання для спектрометра випромінювання людини. Вперше вирощено методом Чохральського нові монокристали CdLa₂(WO)₄. Досліджено їх структуру та вивчено спектрально-люмінесцентні властивості. Вперше вирощена серія нових складів монокристалів антиферомагнітних гранатів Ca₃Ga_2-xMn_xGe₃O₁₂, в яких виявлені фотоіндуковані поглинання світла та дихроїзм за кімнатної температури, що відкриває можливість використання даних матеріалів для оптичного запису інформації.

• Космина Мирон Богданович (технічні науки)

  Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"