Програму SCAPS розроблено з метою моделювання та вивчення властивостей фотонних приладів. Досліджено важливі регульовані конструктивні параметри, що впливають на характеристики сонячних елементів з гетеропереходом, зокрема, робочу температуру. Відмічено, що вольтамперні характеристики (ВАХ) зростають зі збільшенням температури T. У дослідженні вивчено вплив товщини кожного шару на властивості сонячного елементу. Також було визначено, що ВАХ зростають зі збільшенням p-шару. На числовому прикладі, шар поглинання 3 мкм - CdS шар 0,05 мкм, ZnO шар 0,1 мкм, є найкращими параметрами для заданої концентрації домішки. Якщо змінити оптимальне значення, то ефективністи може досягати 17,72 % з FF 83,88 %, Voc = 0,725 B, Jsc = 29,07 мА/см<^>2 за 300 К. В цьому випадку можна одержати оптимальні параметри для досягнення найкращих характеристик цього типу фотоелементів і порівняти з характеристиками елементів CIGS (мідь - індій - диселенід галій).

  Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"