Проведено теоретичний аналіз оптичних та рекомбінаційних втрат в тонкоплівкових сонячних елементах на основі Cu(In, Ga)Se2 з шириною забороненої зони 1,36 - 1,38 еВ. Виходячи з оптичних констант матеріалів, знайдено оптичні втрати, зумовлені відбиванням на межах поділу і поглинанням в шарах ZnO - CdS. Для розрахунку рекомбінаційних втрат розглянуто спектральний розподіл квантової ефективності CdS/CuIn1-xGaxSe2 гетероструктури. Із зіставлення результатів розрахунку з експериментом визначено реальні параметри сонячного елементу та втрати, зумовлені рекомбінацією носіїв заряду на фронтальній і тильній поверхнях поглинаючого шару, в його нейтральній частині та області просторового заряду p-n гетеропереходу.

• Литвиненко Вікторія Ярославівна (фізико-математичні науки)
• Маслянчук Олена Леонідівна (фізико-математичні науки)

  Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"