Бабійчук І. В. Фотостимульовані реверсивні перетворення у плівках Ge-Se як основа резистивного процесу / І. В. Бабійчук, В. А. Данько, І. З. Індутний, М. В. Луканюк, В. І. Минько, П. Є. Шепелявий // Оптоэлектроника и полупроводниковая техника : межвед. сб. науч. тр.. - 2014. - Вып. 49. - С. 36-41. - Бібліогр.: 12 назв. - укp.Досліджено закономірності резистивного процесу на відпалених шарах стекол розрізу Ge-Se та вивчено можливості створення за його допомогою складних рельєфно-фазових структур чи літографічних масок. Показано, що даний резистивний процес безпосередньо пов'язаний із реверсивними фотоструктурними змінами, які спостерігаються в даних стеклах, що, в свою чергу, дозволяє стирати повторним відпалом інформацію, записану фотоекспонуванням цих плівок, а також повторювати цикли відпал-експонування без значних змін характеристик отримуваних структур. Індекс рубрикатора НБУВ: В379.226 + В379.24
Рубрики:
Шифр НБУВ: Ж60673 Пошук видання у каталогах НБУВ
Повний текст Наукова періодика України Додаткова інформація про автора(ів) публікації: (cписок формується автоматично, до списку можуть бути включені персоналії з подібними іменами або однофамільці) ![](/irbis_nbuv/images/info.png) Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"
|