Книжкові видання та компакт-диски Журнали та продовжувані видання Автореферати дисертацій Реферативна база даних Наукова періодика України Тематичний навігатор Авторитетний файл імен осіб
|
Пошуковий запит: (<.>ID=REF-0000566921<.>) |
Загальна кількість знайдених документів : 1
|
Новосядлий С. П. Фізико-топологічні аспекти моделювання арсенідгалієвого супер-бета транзистора на гетероструктурах для швидкодіючих ВІС комп'ютерних систем / С. П. Новосядлий, Л. В. Мельник // Вісн. Нац. ун-ту "Львів. політехніка". - 2014. - № 806. - С. 199-207. - Бібліогр.: 6 назв. - укp.Зазначено, що серед напівпровідників найпоширенішим у мікроелектроніці для створення цифрових мікросхем був і залишається кремній. Разом з тим сьогодні почали інтенсивно впроваджувати мікросхеми на основі арсеніду галію. Арсенідгалієві мікросхеми завдяки високій рухливості носіїв заряду в GaAs мають частотний діапазон функціонування, недосяжний для мікросхеми на основі кремнію. Індекс рубрикатора НБУВ: З973-043.63
Рубрики:
Шифр НБУВ: Ж29409/А Пошук видання у каталогах НБУВ Повний текст Наукова періодика України Додаткова інформація про автора(ів) публікації: (cписок формується автоматично, до списку можуть бути включені персоналії з подібними іменами або однофамільці) Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"
|
|
|