Вперше досліджено низькорозмірні структури GaN на поверхні поруватого GaAs, одержані за методом нітридизації поруватих шарів GaAs, розглянуто процес електрохімічного травлення GaAs з подальшою обробкою в атомарному азоті, у результаті чого на поверхні GaAs формуються квантові точки GaN. Під час осадження на поверхню GaAs відбувається заміщення атомів As атомами N, яке призводить до формуванння тонкого шару GaN на поверхні GaAs. Досліджено їх фотолюмінесценцію і морфологію поверхні за допомогою методу скануючої електронної спектроскопії.

 Наукова періодика України 

---

Додаткова інформація про автора(ів) публікації:
(cписок формується автоматично, до списку можуть бути включені персоналії з подібними іменами або однофамільці)

• Дяденчук Альона Федорівна (1986–) (технічні науки)
• Кідалов Валерій Віталійович (1960–) (фізико-математичні науки)

  Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"