Находкін М. Г. Взаємодія Gd і O з поверхнею Si(113) / М. Г. Находкін, М. І. Федорченко // Вісн. Київ. нац. ун-ту. Сер. Фіз.-мат. науки. - 2014. - Вип. 1. - С. 239-242. - Бібліогр.: 11 назв. - укp.За допомогою методів електронної спектроскопії досліджено зміну електронних властивостей поверхні Si(113) у разі створення на ній багатошарової структури окиснених атомів Gd. Показано, що почергова адсорбція атомів Gd та атомарного кисню за кімнатної температури призводить до зменшення роботи виходу від 4,75 еВ для Si(113)-<$E3~times~2> до <$Esymbol Ы~1,9> еВ для багатошарової структури окиснених атомів Gd. Під час відпалу такої структури у разі <$E600~symbol Р roman C> за умов надвисокого вакууму робота виходу зменшується до <$Esymbol Ы~1,0> еВ. Одержані результати пояснюються створенням шару силікату Gd та утворенням на поверхні дипольного шару O-Gd. Індекс рубрикатора НБУВ: В379.271
Рубрики:
Шифр НБУВ: Ж28079/фіз.-мат. Пошук видання у каталогах НБУВ
Повний текст Наукова періодика України Додаткова інформація про автора(ів) публікації: (cписок формується автоматично, до списку можуть бути включені персоналії з подібними іменами або однофамільці) ![](/irbis_nbuv/images/info.png) Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"
|