Экспериментально исследованы продольное rho_xx(B,T) и холловское rho_xy(B,T) магнитосопротивление в перпендикулярном плоскости образца магнитном поле в наноструктурах n-InGaAs/GaAs с одиночными и двойными сильносвязанными квантовыми ямами в зависимости от ширины ямы в диапазоне магнитных полей B = 0 - 12 Тл и температур T = 0,05 - 100 K до и после низкотемпературной подсветки инфракрасным излучением. Для образцов до освещения обнаружено изменение характера температурной зависимости сопротивления в нулевом поле rho(T) с "диэлектрического" (drho/dT << 0) на "металлический" (drho/dT >> 0). Показано, что температурная зависимость сопротивления задается температурной зависимостью подвижности mu(T), "диэлектрический" участок которой связан с квантовыми поправками к проводимости в диффузионном и баллистическом режимах, "металлический" - с рассеянием носителей на акустических и оптических фононах. На магнитополевой зависимости продольного магнитосопротивления rho_xx(B,T) вблизи значения индукции, отвечающего равенству muB = 1, наблюдалось слабое изменение с температурой. Обнаружены также необычные температурные зависимости компонент проводимости sigma_xx(B,T) и sigma_xy(B,T) при muB = 1. На sigma_xx(B,T) наблюдается температурно-независимая точка, а sigma_xy(B,T) при muB = 1 сильно зависит от T. Установлено, что такая закономерность обусловлена характером температурной зависимости подвижности носителей заряда mu(T) как в диффузионном, так и в баллистическом режиме. После подсветки ИК излучением во всех образцах наблюдается положительная остаточная фотопроводимость, связанная с двукратным увеличением концентрации носителей заряда. Сопротивление в нулевом магнитном поле rho(T) в таких образцах также испытывает переход от "диэлектрического" к "металлическому" типу проводимости при меньших значениях температуры, чем до подсветки. Показано, что особенности транспорта после освещения связаны с появлением температурной зависимости концентрации носителей заряда.

 Наукова періодика України 

---

  Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"