Надано новий погляд на теорію електронно-акустичного розсіювання одного фонона. При цьому припускається, що невироджений напівпровідник має сферичну параболічну зонну структуру. В основу перегляду теорії покладено ефект нахилу напівпровідникових зон при накладанні збурюючого потенціалу електричного поля. У цьому випадку власні функції електрона вже не є плоскими хвилями чи функціями Блоха. В режимі слабких полів одержано вирази для ймовірності електронних внутрішньозонних переходів і для часу розсіяння в наближенні пружних зіткнень. Проаналізовано залежніть часу розсіяння від енергії електрона та напруженості однорідного електричного поля. Наведено результати відповідних числових обчислень для n-Si за температури 300 K. Встановлено відсутність зламу на кривій залежності часу розсіяння електрона від енергії електрона.

  Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"