Козлов Д. А. Трехмерный топологический изолятор на основе напряженной пленки HgTe / Д. А. Козлов, З. Д. Квон, М. Л. Савченко, D. Weiss, Н. Н. Михайлов, С. А. Дворецкий // Физика низ. температур. - 2015. - 41, № 2 (Спец. вып.). - С. 109-118. - Библиогр.: 27 назв. - рус.Исследован электронный и дырочный транспорт в трехмерном топологическом изоляторе на основе высокоподвижной (до 4x105 см2/В-с) напряженной пленки теллурида ртути толщиной 80 нм. Вследствие наличия затвора положение уровня Ферми перемещается из валентной зоны в зону проводимости, минуя объемную щель. Наблюдаемые особенности в классическом и квантовом транспорте позволили различить вклад в проводимость объемных дырок, объемных электронов, а также дираковских электронов на поверхностях пленки. Індекс рубрикатора НБУВ: В379.326 + В379.371 + З85-03
Рубрики:
Шифр НБУВ: Ж14063 Пошук видання у каталогах НБУВ
Повний текст Наукова періодика України
![](/irbis_nbuv/images/info.png) Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"
|