Пелещак Р. М. Моделювання розподілу потенціалу в бар'єрній структурі Шотткі з вбудованим шаром квантових точок / Р. М. Пелещак, І. І. Лазурчак, М. В. Дорошенко, Н. Я. Кулик // Фізика і хімія твердого тіла. - 2014. - 15, № 4. - С. 693-698. - Бібліогр.: 16 назв. - укp.Побудовано математичну модель розподілу електростатичного потенціалу в поверхнево-бар'єрній структурі виду Шотткі з вбудованим шаром квантових точок (КТ). Встановлено, що результуюче електричне поле в бар'єрній структурі виду Шотткі з вбудованим шаром КТ визначається суперпозицією двох полів: електричного поля <$E roman {E Vec sub BS}>, створеного на межі контакту метал - n-напівпровідник з вбудованим шаром КТ та електричного поля <$E roman {E Vec sub QD}>, зумовленого на межі поділу КТ - напівпровідникова матриця з КТ. Показано, що потенціал уздовж напрямку розміщення КТ має осциляційний характер. Період осциляції визначається кроком розміщення КТ. У напрямку, перпендикулярному до межі контакту метал - легований n-типу напівпровідник з КТ, потенціал має спадний експоненційний характер. Індекс рубрикатора НБУВ: В379.212 в641 + В379.271.5
Рубрики:
Шифр НБУВ: Ж26618 Пошук видання у каталогах НБУВ
Повний текст Наукова періодика України Додаткова інформація про автора(ів) публікації: (cписок формується автоматично, до списку можуть бути включені персоналії з подібними іменами або однофамільці) ![](/irbis_nbuv/images/info.png) Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"
|