Савкіна Р. К. Ефект наноструктурування Si та GaAs шляхом кавітаційної обробки в рідкому азоті / Р. К. Савкіна, О. Б. Смірнов // Доп. НАН України. - 2015. - № 7. - С. 70-78. - Бібліогр.: 14 назв. - укp.Наведено результати комплексних досліджень ефекту наноструктурування базових напівпровідників оптоелектроніки Si і GaAs, підданих дії УЗ кавітації в рідкому азоті. Встановлено, що обробка напівпровідникових кристалів GaAs і Si ультразвуком (1 - 6 МГц, 15 Вт/см2), енергія якого концентрується в кавітаційних порожнинах кріогенної рідини, призводить до наноструктурування їх поверхні та розширення діапазону фоточутливості. Наноструктури залежно від типу підкладки мають розміри до ~ 11 - 15 нм для GaAs і від 30 до ~ 70 нм - для Si. Розширення діапазону фоточутливості як кремнію, так і арсеніду галію можна пояснити ефектом вбудовування азоту в решітку матриці з утворенням нових сполук. Індекс рубрикатора НБУВ: З861 + В371.212
Рубрики:
Шифр НБУВ: Ж22412/а Пошук видання у каталогах НБУВ Додаткова інформація про автора(ів) публікації: (cписок формується автоматично, до списку можуть бути включені персоналії з подібними іменами або однофамільці) ![](/irbis_nbuv/images/info.png) Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"
|