На підставі аналізу результатів експериментальних досліджень і розрахунку на базі кристалоквазіхімічних формул легованих кристалів плюмбум телуриду галієм уточнено вид і зарядовий стан домінуючих точкових дефектів. Запропоновано механізми утворення твердих розчинів PbTe - GaTe та PbTe - Ga₂Te₃₂. Визначено залежності холлівської концентрації носіїв заряду та концентрації точкових дефектів від вмісту легуючих сполук, величини початкового відхилення від стехіометричного складу плюмбум телуриду та зарядового стану галію. Встановлено умови реалізації термодинамічних n - p- або p - n-переходів.

 Наукова періодика України 

---

Додаткова інформація про автора(ів) публікації:
(cписок формується автоматично, до списку можуть бути включені персоналії з подібними іменами або однофамільці)

• Туровська Лілія Вадимівна (хімічні науки)
• Туровська Людмила Володимирівна (філологічні науки)
• Бойчук Володимир Миколайович (економічні науки)
• Бойчук Володимир Максимович (медичні науки)
• Бойчук Володимира Михайлівна (хімічні науки)
• Бойчук Віталій Миколайович (педагогічні науки)
• Бойчук Василь Миколайович (філологічні науки)
• Бойчук Валентина Михайлівна (філологічні науки)
• Бойчук В'ячеслав Миколайович (сільськогосподарські науки)
• Борик Віктор Васильович (хімічні науки)

  Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"