Фреїк Д. М. Оптимізація термоелектричної добротності кристалічних PbX (X = S, Se, Te) / Д. М. Фреїк, Л. І. Никируй, Р. О. Дзумедзей, О. М. Возняк, А. В. Лисак // Фізика і хімія твердого тіла. - 2013. - 14, № 2. - С. 383-389. - Бібліогр.: 30 назв. - укp.Розраховано та проаналізовано значення термоелектричних параметрів кристалів халькогенідів свинцю n-типу провідності. Розглянуто ефективність термоелектричного матеріалу - безрозмірну добротність, визначено шляхи її оптимізації. Показано, що зміною технологічних факторів можна регулювати вид домінуючих меанізмів розсіювання носіїв заряду, а отже, й підвищити результуюче значення добротності матеріалу. Індекс рубрикатора НБУВ: В379.271.51
Рубрики:
Шифр НБУВ: Ж26618 Пошук видання у каталогах НБУВ
Повний текст Наукова періодика України Додаткова інформація про автора(ів) публікації: (cписок формується автоматично, до списку можуть бути включені персоналії з подібними іменами або однофамільці) ![](/irbis_nbuv/images/info.png) Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"
|