Сеті Ю. О. Теорія динамічної провідності трибар'єрної резонансно-тунельної структури з двофотонними лазерними переходами / Ю. О. Сеті, І. В. Бойко, М. В. Паньків // Фізика і хімія твердого тіла. - 2015. - 16, № 1. - С. 7-13. - Бібліогр.: 14 назв. - укp.У наближенні ефективних мас і прямокутних потенціальних ям і бар'єрів для електрона, з використанням знайдених розв'язків повного рівняння Шредінгера, розвинено теорію активної динамічної провідності трибар'єрної резонансно-тунельної структури (InGaAs/InAlAs) з різними глибинами потенціальних ям у слабкому електромагнітному полі в одно- та двофотонному наближенні. Показано, що зміною концентрації Ga можна одержати такі геометричні конфігурації наноструктури, як активної зони квантового каскадного лазера, в яких на базі електронних квантових переходів з випромінюванням двох фотонів однакової енергії відбувається зростання інтенсивності лазерного випромінювання. Встановлено, що вклад двофотонних переходів у сумарну величину динамічної провідності складає не менше ніж 37 %. Індекс рубрикатора НБУВ: В371.21 + В379.271.25
Рубрики:
Шифр НБУВ: Ж26618 Пошук видання у каталогах НБУВ Додаткова інформація про автора(ів) публікації: (cписок формується автоматично, до списку можуть бути включені персоналії з подібними іменами або однофамільці) ![](/irbis_nbuv/images/info.png) Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"
|