У наближенні ефективних мас і прямокутних потенціальних ям і бар'єрів для електрона, з використанням знайдених розв'язків повного рівняння Шредінгера, розвинено теорію активної динамічної провідності трибар'єрної резонансно-тунельної структури (InGaAs/InAlAs) з різними глибинами потенціальних ям у слабкому електромагнітному полі в одно- та двофотонному наближенні. Показано, що зміною концентрації Ga можна одержати такі геометричні конфігурації наноструктури, як активної зони квантового каскадного лазера, в яких на базі електронних квантових переходів з випромінюванням двох фотонів однакової енергії відбувається зростання інтенсивності лазерного випромінювання. Встановлено, що вклад двофотонних переходів у сумарну величину динамічної провідності складає не менше ніж 37 %.

• Сеті Юлія Олександрівна (фізико-математичні науки)
• Бойко Ігор Васильович (медичні науки)
• Бойко Ірина Василівна (біологічні науки)
• Бойко Ігор Володимирович (1987–) (фізико-математичні науки)
• Бойко Ірина Василівна (біологічні науки)
• Бойко Ірина Володимирівна (юридичні науки)
• Бойко Ігор Васильович (1970–) (медичні науки)
• Бойко Іван Володимирович (1959–) (юридичні науки)

  Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"