Presented in this paper are experimental data on structural properties of contact metallization and temperature dependence of the specific contact resistance for ohmic contacts Au - Ti - Pd -n<^>+- InP and Au - Ti - Ge - Pd -n<^>+- InP prepared using the method of successive thermal evaporation of metals in oil-free vacuum in one process cycle onto the n<^>+-n-n<^>++-n<^>+++-InP epitaxial structure heated to <$E300~symbol Р roman C>. It has been theoretically and experimentally shown that within the temperature range 250 - 380 K the current transport mechanism in the ohmic contacts Au - Ti - Pd -n<^>+- InP is thermal-field one, and in the ohmic contacts Au - Ti - Ge - Pd -n<^>+-InP it is caused by conductivity along metal shunts linked with dislocations. According to the X-ray diffraction data, the density of these dislocations in the near-contact InP area is ~10<^>9 cm<^>-2.

 Наукова періодика України 

---

Додаткова інформація про автора(ів) публікації:
(cписок формується автоматично, до списку можуть бути включені персоналії з подібними іменами або однофамільці)

• Бєляєв Олександр Євгенович (1947–) (фізико-математичні науки)
• Конакова Раїса Василівна (1941–) (фізико-математичні науки)
• Саченко Анатолій Васильович (фізико-математичні науки)

  Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"