Досліджено електротранспортні властивості графену з різними типами точкових дефектів: атомами заміщення (на прикладі атомів Нітрогену), вакансіями або адсорбованими атомами (на прикладі атомів Калію). Розроблено програмний пакет, який дзволяє вивчати електронні властивості й електропровідність допованого графену в межах методології Кубо - Грінвуда для ділянок, які містять мільйони вузлів. Проаналізовано вплив різних типів точкових дефектів (дефекти заміщення або адатоми) на електротранспортні характеристики графену. Показано, що допування графену атомами заміщення у різних просторових конфігураціях (піридино- та графітоподібний типи заміщення) істотно видозмінюють його електропровідність як кількісно, так і якісно. Виявлено, що за переходу від їх випадкового до корельованого (впорядкованого) просторового розподілу відбувається підвищення електропровідності в декілька (десятки) разів, що є наслідком домінування короткосяжного розсіяння над далекосяжним за наявності близького або далекого порядків у просторовому розподілі точкових дефектів у графені. Показано, що впорядковане розташування атомів заміщення або адатомів, які адсорбовані безпосередньо над вузлами гратниці графену, призводить до порушення симетрії графенової гратниці та викликає відкриття забороненої зони, ширина якої лінійно залежить від концентрації цих дефектів.

• Сагалянов Ігор Юрійович (фізико-математичні науки)

  Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"