![](/irbis_nbuv/images/db_navy.gif) Книжкові видання та компакт-диски ![](/irbis_nbuv/images/db_navy.gif) Журнали та продовжувані видання ![](/irbis_nbuv/images/db_navy.gif) Автореферати дисертацій ![](/irbis_nbuv/images/db_navy.gif) Реферативна база даних ![](/irbis_nbuv/images/db_navy.gif) Наукова періодика України ![](/irbis_nbuv/images/db_navy.gif) Тематичний навігатор ![](/irbis_nbuv/images/db_navy.gif) Авторитетний файл імен осіб
|
Пошуковий запит: (<.>ID=REF-0000620815<.>) |
Загальна кількість знайдених документів : 1
|
Ivanov O. N. Tunneling conductivity in the normal phase of superconducting indium in porous glass / O. N. Ivanov, I. V. Sudzhanskaya // Журн. нано- та електрон. фізики. - 2015. - 7, № 2. - С. 02044-1-02044-4. - Бібліогр.: 8 назв. - англ.Electrical resistance of indium in 7 nm-pore glass has been studied in the temperature 2,3 - 300 K interval. It was found that material under study undergoes the transition into the superconducting state at Tc = 3,9 K. A sharp asymmetric R(T) maximum was found at temperature of 6,4 K. The R(T) dependence has been for the first time analyzed for the normal phase. It was found that the temperature dependence of the resistance in the temperature 15 - 80 K interval can be described by tunnelling mechanism of the charge carriers in the frames of the Shengіs model. Material under study can be considered as electrically inhomogeneous material in which metallic domains in pores are contacting each other via dielectric bridges of glass matrix. A charge transfer between the metallic domains can be realized by the electron tunneling through the potential barriers corresponding to the dielectric bridges. Індекс рубрикатора НБУВ: В368.31
Рубрики:
Шифр НБУВ: Ж100357 Пошук видання у каталогах НБУВ
Повний текст Наукова періодика України
![](/irbis_nbuv/images/info.png) Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"
|
|
|